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G3VM-31QV/G3VM-61QV MOS FET歐姆龍繼電器

小級別的S-VSON(L) 封裝，帶電壓驅(qū)動型MOS FET繼電器(輸入側(cè) 具有內(nèi)部限流電阻)
正向動作輸入電壓:
高/推薦值5 V(典型值)，
低/推薦值2.5 V(典型值)
負(fù)載電壓：30 V/60 V
G3VM-31QVH/L：最大連續(xù)負(fù)載電流：1.5 A
G3VM-61QV2H/L：最大連續(xù)負(fù)載電流：1.0 A
G3VM-61QVH: 最大連續(xù)負(fù)載電流：0.4 A
高環(huán)境動作溫度: -40°C~+110°C

形狀	接點構(gòu)成	端子種類	負(fù)載電壓 (最大)*	連續(xù)負(fù)載電流 (最大)*	包裝形式/卷切		包裝形式/帶狀包裝
形狀	接點構(gòu)成	端子種類	負(fù)載電壓 (最大)*	連續(xù)負(fù)載電流 (最大)*	型號	最小包裝單位	型號	最小包裝單位
S-VSON(L)4	1a (SPST-NO)	表面安裝端子	30V	1,500 mA	G3VM-31QVH	1件	G3VM-31QVH(TR05)	500件
			30V	1,500 mA	G3VM-31QVL		G3VM-31QVL(TR05)
			60V	1,000 mA	G3VM-61QV2H		G3VM-61QV2H(TR05)
				1,000 mA	G3VM-61QV2L		G3VM-61QV2L(TR05)
				400 mA	G3VM-61QVH		G3VM-61QVH(TR05)

注1. 訂購帶狀包裝(表面安裝端子型)時，請在型號末尾加上“(TR05)”。
注2. 以卷切品購入的S-VSON(L)產(chǎn)品無防濕包裝，請在封裝時進行焊接。
請參考「共通注意事項」。

* 連續(xù)負(fù)載電流(最大)、負(fù)載電壓(最大):表示峰值A(chǔ)C、 DC。

■絕對最大額定值(Ta = 25°C)

項目		符號	G3VM- 31QVH	G3VM- 31QVL	G3VM- 61QV2H	G3VM- 61QV2L	G3VM- 61QVH	單位	條件
輸入側(cè)	輸入正向電壓	VIN	6	3	6	3	6	V	?
	輸入反向電壓	VRIN	6					V	?
	接合部溫度	TJ	125					℃	?
輸出側(cè)	負(fù)載電壓(峰值A(chǔ)C/DC)	VOFF	30		60			V	?
	連續(xù)負(fù)載電流(峰值A(chǔ)C/DC)	IO	1,500		1,000		400	mA	?
	導(dǎo)通電流降低比率	⊿IO/℃	-15		-10		-4	mA/℃	Ta≧25℃
	脈沖導(dǎo)通電流	Iop	4,500		3,000		1,200	mA	t=100 ms，占空比=1/10
	接合部溫度	TJ	125					℃	?
輸入輸出間耐壓*		VI-O	500					Vrms	AC持續(xù)1分鐘
使用環(huán)境溫度		Ta	-40～+110					℃	無結(jié)冰、無凝露
保存溫度		Tstg	-40～+125					℃	?
焊接溫度條件		—	260					℃	10 s

* 測量輸入輸出間的耐壓時，分別對LED針腳、受光側(cè)統(tǒng)一地施加電壓。

■電氣性能(Ta = 25°C)

項目		符號	?	G3VM- 31QVH	G3VM- 31QVL	G3VM- 61QV2H	G3VM- 61QV2L	G3VM- 61QVH	單位	條件
輸入側(cè)	反向電流	IR	最小	—					μA	VR＝5 V
			標(biāo)準(zhǔn)	—
			最大	10
	端子間電容	CT	最小	—					pF	V=0，f=1 MHz
			標(biāo)準(zhǔn)	30
			最大	—
	輸入正向電流	IF	最小	—					mA	VIN＝5 V (G3VM-31QVH/-61QVH/-61QV2H)， VIN＝2.5 V (G3VM-31QVL/-61QV2L)
			標(biāo)準(zhǔn)	6.3	14.3	6.3	14.3	6.2
			最大	—
	動作電壓	VFON	最小	—					V	Io=100 mA
			標(biāo)準(zhǔn)	1.4	1.2	1.4	1.2	1.5
			最大	3	1.6	3	1.6	3
	復(fù)位電壓	VFOFF	最小	0.8					V	IOFF=10 μA
			標(biāo)準(zhǔn)	1.4	1.2	1.4	1.1	1.5
			最大	—
輸出側(cè)	最大輸出導(dǎo)通電阻	RON	最小	—					Ω	Io=1,500 mA (G3VM-31QVH/-31QVL)，t<1 s Io=1,000 mA (G3VM-61QV2H/-61QV2L)，t<1s Io=400 mA（G3VM-61QVH)，t<1s VIN=5 V (G3VM-31QVH/-61QVH/-61QV2H)， VIN=2 V (G3VM-31QVL/-61QV2L)
			標(biāo)準(zhǔn)	0.1		0.2		1
			最大	0.2		0.3		1.5
	開路時漏電流	ILEAK	最小	—					nA	VOFF＝20 V (G3VM-31QVH/L)， VOFF＝50 V(G3VM-61QVH、-61QV2H/L)
			標(biāo)準(zhǔn)	—
			最大	1
	端子間電容	COFF	最小	—					pF	V=0，f=1 MHz，t<1 s
			標(biāo)準(zhǔn)	120		80		—
			最大	150				20
輸入輸出間電容		CI-O	最小	—					pF	Vs=0 V，f=1 MHz
			標(biāo)準(zhǔn)	1
			最大	—
輸出輸入間電容絕緣電阻		RI-O	最小	1,000					MΩ	VI-O＝500 VDC，ROH≦60％
			標(biāo)準(zhǔn)	108
			最大	—
動作時間		tON	最小	—					ms	V?DD＝20 V，RL＝200 Ω VIN=5 V (G3VM-31QVH/ -61QVH/ -61QV2H)，* VIN=2 V (G3VM-31QVL/ -61QV2L)*
			標(biāo)準(zhǔn)	—
			最大	2.0			1.0	0.5
復(fù)位時間		tOFF	最小	—
			標(biāo)準(zhǔn)	—
			最大	0.2